含硼聚乙烯板是一种相对廉价的中子屏蔽材料，对其中子屏蔽特性已进行过一维基准实验。
与其他中子屏蔽材料一样，该材料在中子的作用下产生γ射线。
相对于屏蔽中子而言，γ射线是二级剂量。
由于硼的中子吸收截面远大于氢，为了对含硼聚乙烯材料的性能有全面的了解，由中国工程物理研究院 核物理与化学研究所进行过《D-T中子照射下含硼聚乙烯球泄露γ能谱测量》。
而在含硼聚乙烯球中，主要是硼起吸收作用。
硼对低能中子的反应截面比较大，在还没有发生氢的反应之前低能中子基本已被硼吸收，含硼聚乙烯在质量百分比为10﹪、厚度为15cm时，含硼聚乙烯对中子的屏蔽已达到要求。
在此基础上再增加含硼量或者厚度，中子的积分泄露量基本不发生变化。
含硼比10%厚度15cm时已经达到屏蔽要求，参数指标为：
耐热温度：126℃（DTA测量值）
冲击强度(缺口)：≈19KJ/m2
抗压强度：≈24MPa
线膨胀系数：8.933×10-51/℃
密度：≥1.028g/cm3
密度差：≤0.01g/cm3
热变形温度（载荷ρ=0.46Mρa）：72℃
